LEEM-8 Magnetoresistiven Effekt Experimentalapparat Featured Image

LEEM-8 Experimentapparat fir magnetoresistiv Effekter

Kuerz Beschreiwung:

Bemierkung: Oszilloskop net abegraff

Den Apparat ass einfach an der Struktur a räich u Material. E benotzt zwou Zorte vu Sensoren: e GaAs Hall-Sensor fir d'Intensitéit vun der magnetescher Induktioun ze moossen, an e fir de Widderstand vum InSb Magnetoresistenzsensor ënner verschiddenen Intensitéiten vun der magnetescher Induktioun ze studéieren. D'Schüler kënnen den Hall-Effekt an de Magnetoresistenzeffekt vun engem Halbleiter observéieren, déi duerch Fuerschungs- an Designexperimenter charakteriséiert sinn.

Schéckt eis eng E-Mail

Produktdetailer

Produkt Tags

Experimenter

1. Ënnersicht d'Ännerung vum Widderstand vun engem InSb-Sensor am Verglach zu der ugewandter Magnéitfeldintensitéit; fannt déi empiresch Formel.

2. Duerstellt de Widderstand vum InSb-Sensor géint d'Magnéitfeldintensitéit.

3. Studéiert d'AC-Charakteristike vun engem InSb-Sensor ënner engem schwaache Magnéitfeld (Frequenzverdueblung-Effekt).

Spezifikatiounen

Beschreiwung	Spezifikatiounen
Stroumversuergung vum Magneto-Widerstandssensor	0-3 mA justierbar
Digitalen Voltmeter	Beräich 0-1,999 V Opléisung 1 mV
Digitalen Milli-Teslameter	Beräich 0-199,9 mT, Opléisung 0,1 mT