LEEM-8 Magnetoresistive Effekt Experimentell Apparat ausgezeechent Bild

LEEM-8 Magnetoresistiv Effekt Experimentell Apparat

Kuerz Beschreiwung:

Notiz: Oszilloskop net abegraff

Den Apparat ass einfach a Struktur a räich un Inhalt.Et benotzt zwou Aarte vu Sensoren: GaAs Hall-Sensor fir d'magnetesch Induktiounsintensitéit ze moossen, an d'Resistenz vum InSb-Magnetoresistenzsensor ënner verschiddene magnetesche Induktiounsintensitéit ze studéieren.D'Studente kënnen den Halleffekt a Magnetresistenzeffekt vum Halbleiter beobachten, déi duerch Fuerschung an Designexperimenter charakteriséiert sinn.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Experimenter

1. Studéiert d'Resistenzännerung vun engem InSb Sensor vs der ugewandter Magnéitfeldintensitéit;fannen déi empiresch Formel.

2. Komplott InSb Sensor Resistenz vs Magnéitfeld Intensitéit.

3. Studéiert d'AC Charakteristiken vun engem InSb Sensor ënner engem schwaache Magnéitfeld (Frequenzverdueblungseffekt).

Spezifikatioune

Beschreiwung	Spezifikatioune
Energieversuergung vun magneto-Resistenz Sensor	0-3 mA justierbar
Digital Voltmeter	Beräich 0-1.999 V Resolutioun 1 mV
Digital Milli-Teslameter	Beräich 0-199,9 mT, Resolutioun 0,1 mT