LPT-7 Diode-gepompelt Solid-State Laser Demonstratioun
Spezifikatioune
Semiconductor Laser | |
CW Output Power | ≤ 500 mW |
Polariséierung | TE |
Zentrum Wellelängt | 808 ± 10 nm |
Operatioun Temperatur Beräich | 10 ~ 40 °C |
Fuert aktuell | 0 ~ 500 mA |
Nd: YVO4Kristall | |
Nd Doping Konzentratioun | 0,1 ~ 3 atm% |
Dimensioun | 3×3×1 mm |
Flaachheet | < λ/10 @632.8 nm |
Beschichtung | AR@1064 nm, R<0,1%;808="" t="">90% |
KTP Crystal | |
Transmissive Wellelängtberäich | 0,35 ~ 4,5 µm |
Elektro-optesch Koeffizient | r33= 36 Uhr/V |
Dimensioun | 2×2×5 mm |
Ausgangsspigel | |
Duerchmiesser | Φ 6 mm |
Radius vun Curvature | 50 mm |
He-Ne Ausriichtung Laser | ≤ 1 mW @ 632,8 nm |
IR Vue Kaart | Spektral Äntwertbereich: 0,7 ~ 1,6 µm |
Laser Sécherheetsbrille | OD = 4+ fir 808 nm an 1064 nm |
Optesch Power Meter | 2 μW ~ 200 mW, 6 Skalen |
PARTS LËSCHT
Nee. | Beschreiwung | Parameter | Quty |
1 | Optesch Rail | mat Basis an Stëbs Cover, He-Ne Laser Muecht Fourniture bannent Basis installéiert | 1 |
2 | He-Ne Laser Holder | mat Carrier | 1 |
3 | Ausriichtung Aperture | f1 mm Loch mat Träger | 1 |
4 | Filter | f10 mm Ouverture mat Carrier | 1 |
5 | Ausgangsspigel | BK7, f6 mm R = 50 mm mat 4-Achs justierbaren Halter an Träger | 1 |
6 | KTP Crystal | 2 × 2 × 5 mm mat 2-Achs justierbaren Halter an Träger | 1 |
7 | Nd: YVO4 Kristall | 3 × 3 × 1 mm mat 2-Achs justierbaren Halter an Träger | 1 |
8 | 808nm LD (Laserdiode) | ≤ 500 mW mat 4-Achs justierbaren Halter an Träger | 1 |
9 | Detektor Head Holder | mat Carrier | 1 |
10 | Infrarout Vue Kaart | 750 ~ 1600 nm | 1 |
11 | He-Ne Laser Tube | 1.5mW@632.8 nm | 1 |
12 | Optesch Power Meter | 2 μW~200 mW (6 Beräicher) | 1 |
13 | Detektor Kapp | mat Cover a Post | 1 |
14 | LD aktuell Controller | 0 ~ 500 mA | 1 |
15 | Stroumkabel | 3 | |
16 | Bedienungsanleitung | V1.0 | 1 |
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