LEEM-8 Magnetoresistive Effekt Experimental Apparat

Notiz: Oszilloskop net abegraff

Den Apparat ass einfach a Struktur a räich un Inhalt. Et benotzt zwou Aarte vu Sensoren: GaAs Hall Sensor fir d'magnéitesch Induktiounsintensitéit ze moossen, a fir de Widderstand vum InSb magnetoresistance Sensor ënner ënnerschiddlecher magnetescher Induktiounsintensitéit ze studéieren. Studente kënnen den Hall Effekt an de Magnetoresistance Effekt vum Halbleiter beobachten, déi duerch Fuerschung an Design Experimenter charakteriséiert sinn.

Experimenter

1. Studéiert d'Resistenzännerung vun engem InSb Sensor géint d'applicéiert Magnéitfeldintensitéit; fannen déi empiresch Formel.

2. Plot InSb Sensor Widderstand vs Magnéitfeld Intensitéit.

3. Studéiert d'AC Charakteristike vun engem InSb Sensor ënner engem schwaache Magnéitfeld (Frequenz-Verdueblung Effekt).

Spezifikatioune